Transistor MOSFET de potencia de canal N, nivel lógico, encapsulado en envase plástico, fabricado con tecnología TrenchMOS para lograr baja resistencia de conducción y alta eficiencia. Diseñado específicamente para mejora de canal N, ideal para sistemas electrónicos modernos.

Este dispositivo ha sido diseñado y calificado bajo el estándar AEC, lo que lo hace apto para aplicaciones automotrices críticas, garantizando alta confiabilidad, estabilidad térmica y desempeño consistente en entornos exigentes.